半導(dǎo)體制造過程中最復(fù)雜也是最難的步驟就是光刻，光刻機也因此成為最重要的半導(dǎo)體制造設(shè)備。在7nm制程的較量中，臺積電之所以能夠領(lǐng)先，一
半導(dǎo)體制造過程中最復(fù)雜也是最難的步驟就是光刻，光刻機也因此成為最重要的半導(dǎo)體制造設(shè)備。在7nm制程的較量中，臺積電之所以能夠領(lǐng)先，一個很重要的原因就是EUV技術(shù)，在半導(dǎo)體制造的工藝中，這部分的成本就能占到33%左右。
目前最先進的光刻機就是來自這家ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機，每臺售價超過1億美元，而且供不應(yīng)求。ASML的主要客戶為全球一線的晶圓廠，除了英特爾、三星和臺積電這三大巨頭之外，國內(nèi)的中芯國際也是ASML的客戶。
有外媒報道稱，ASML公司目前正積極投資研發(fā)新一代EUV光刻機，和往代的相比，新款EUV光刻機最大的變化就是高數(shù)值孔徑透鏡，通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準(zhǔn)精度兩大光刻機核心指標(biāo)提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產(chǎn)時間是2024年，不過最新報道稱下一代EUV光刻機是2025年量產(chǎn)，這個時間上臺積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了。（蘇亞）
